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在發(fā)展中求生存,不斷完善,以良好信譽(yù)和科學(xué)的管理促進(jìn)企業(yè)迅速發(fā)展2025年09月15日,熱烈祝賀河南某半導(dǎo)體材料廠引進(jìn)我司賽默飛iCAP PRO DUO ICP設(shè)備,現(xiàn)已圓滿完成安裝、培訓(xùn)與調(diào)試!感謝貴廠對(duì)賽默飛產(chǎn)品的信任與支持。未來(lái)我們將持續(xù)提供高效、精準(zhǔn)的分析解決方案,助力貴廠在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域精益求精!

賽默飛iCAP PRO DUO ICP-OES設(shè)備在半導(dǎo)體材料檢測(cè)中具備以下關(guān)鍵能力與應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 耐氫氟酸進(jìn)樣系統(tǒng),適配硅基材料
配備耐氫氟酸(HF)的進(jìn)樣系統(tǒng)(如陶瓷炬管、PTFE霧化室),可直接分析含HF的半導(dǎo)體樣品(如硅粉、晶圓清洗液),避免傳統(tǒng)石英部件的腐蝕問(wèn)題。
示例:對(duì)工業(yè)硅中的磷、硼、鈣、鐵等雜質(zhì)元素進(jìn)行快速測(cè)定,滿足高純度要求。

2. 雙觀測(cè)模式(軸向/徑向)提升靈敏度
水平與垂直雙觀測(cè)模式可靈活切換,軸向模式提供高靈敏度(適合痕量元素),徑向模式抗基體干擾(適合高濃度樣品),適配半導(dǎo)體中不同含量范圍的雜質(zhì)分析。

3. 符合半導(dǎo)體行業(yè)超痕量檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)
檢出限低至ppb級(jí),滿足SEMI標(biāo)準(zhǔn)對(duì)高純?cè)噭ㄈ缌蛩帷浞幔┲谐哿拷饘匐s質(zhì)(如Na、K、Fe)的管控要求,保障晶圓良率。
應(yīng)用案例:檢測(cè)電子級(jí)NMP(光刻膠溶劑)中的ppt級(jí)金屬離子,通過(guò)優(yōu)化等離子體條件(如冷等離子體模式)消除碳氮基體干擾。

4. 高效基體處理與穩(wěn)定性
采用陶瓷炬管(如D-Torch)和藍(lán)寶石中心管,耐高溫基體(如SiC、GaN),減少維護(hù)頻率,適合長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行產(chǎn)線監(jiān)控。
固態(tài)CID檢測(cè)器防溢出設(shè)計(jì),避免高基體樣品(如硅片清洗液)的信號(hào)飽和,確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。

5. 全流程半導(dǎo)體材料覆蓋
前道工藝:硅錠/晶圓表面雜質(zhì)(VPD-ICP聯(lián)用法)、外延層成分分析。
后道工藝:封裝材料(如濺射靶材)、高純?cè)噭p氧水、氨水)的質(zhì)控。
環(huán)保監(jiān)測(cè):廢水中的痕量金屬(如Cu、Zn)合規(guī)性檢測(cè)。

6. 技術(shù)對(duì)比優(yōu)勢(shì)
相比單四極桿ICP-MS,iCAP PRO DUO在復(fù)雜基體(如高硅含量)中穩(wěn)定性更優(yōu),且運(yùn)行成本更低,適合常規(guī)QC場(chǎng)景;而ICP-MS(如iCAP TQs)更適用于超痕量(ppt級(jí))或需消除多原子干擾的科研級(jí)分析。
總結(jié):該設(shè)備通過(guò)硬件耐腐設(shè)計(jì)、雙觀測(cè)模式及低檢出限,精準(zhǔn)覆蓋半導(dǎo)體材料從原材料到成品的雜質(zhì)監(jiān)控需求,尤其擅長(zhǎng)硅基體及氫氟酸體系的分析,是半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量控制與工藝優(yōu)化的可靠工具。
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